[반도체] 14. BJT(2)
다음은 BJT 분석에 사용되는 기호들이다.
표기 |
정의 |
npn, pnp형 BJT 전체에 대해 |
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NE,NB,NC xE,xB,xC DE,DB,DC LE,LB,LC τE0,τB0,τC0 |
이미터, 베이스, 컬렉터에서의 도핑농도 중성 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 폭 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 소수 캐리어 확산 계수 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 소수 캐리어 확산 길이 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 소수 캐리어 수명 |
이미터에 대해 |
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pE0,nB0,pC0 pE(x′),nB(x),pC(x″ \delta p_{E}(x'),\,\delta n_{B}(x),\,\delta p_{C}(x'') |
이미터, 베이스, 컬렉터에서의 열적 평형상태의 전자, 정공의 소수 캐리어 농도 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 전자, 정공, 소수 캐리어의 전체 농도 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 전자, 정공의 포화 소수 캐리어 농도 |
pnp형 BJT에 대해 |
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n_{E0},\,p_{B0},\,n_{C0} n_{E}(x'),\,p_{B}(x),\,n_{C}(x'') \delta n_{E}(x'),\,\delta p_{B}(x),\,\delta n_{C}(x'') |
이미터, 베이스, 컬렉터에서의 열적 평형상태의 전자, 정공의 소수 캐리어 농도 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 전자의 정공의 소수 캐리어 전체의 농도 이미터, 베이스, 컬렉터에서의 전자, 정공의 포화 소수 캐리어 농도 |
다음 그림은 소수 캐리어 분포를 계산하기 위한 npn형 BJT의 기하학적 구조이고 맨 밑은 순방향 활성 모드로 동작하는 npn형 BJT에서의 소수 캐리어 농도를 나타낸 것이다.
베이스 영역에서 포화 소수 캐리어의 전자농도는 \displaystyle \delta n_{B}(x)=\frac{n_{B0}\left\{(e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1)\sinh\left(\frac{x_{B}-x}{L_{B}}\right)-\left(\sinh\frac{x}{L_{B}}\right)\right\}}{\sinh\frac{x_{B}}{L_{B}}}
이미터 영역에서 포화 소수 캐리어의 정공농도는 \displaystyle \delta p_{E}(x')=\frac{p_{E0}\left(e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1\right)\sinh\left(\frac{x_{E}-x'}{L_{E}}\right)}{\sinh\frac{x_{E}}{L_{E}}}
컬렉터 영역에서 포화 소수 캐리어의 정공농도는 \displaystyle \delta p_{C}(x'')=-p_{C0}e^{-\frac{x''}{L_{C}}}이다.
BJT동작의 기본원리는 B-E전압에 의한 컬렉터 전류의 제어이다. 컬렉터 전류는 이미터에서 B-E접합을 지나 베이스에 도달한 후 컬렉터에 도달하는 다수 캐리어 개수의 함수이다. 공통 베이스 전류이득(common-base current gain)은 이미터 전류에 대한 컬렉터 전류의 비 \displaystyle\beta_{0}=\frac{I_{C}}{I_{B}}로 정의한다. 다음의 그림은 npn형 BJT에서의 다양한 입자 유속 성분을 나타낸 것이다.
위의 그림에서 다음과 같이 정의된다.
J_{nE}^{-}: 이미터에서 베이스로 들어가는 전자 유속. 전자들이 베이스로 확산하면서 일부는 다수 캐리어인 정공과 재결합한다.
J_{RB}^{+}: 베이스에서 재결합에 의해 사라진 다수 캐리어를 대체하는 정공 유속
J_{nC}^{-}: 컬렉터에 도달하는 전자 유속
J_{pE}^{+}: 베이스의 다수 캐리어 정공, 이미터로 거꾸로 들어가고 순방향 바이어스 때문에 일부 전자와 정공들은 이미터에서 재결합한다.
J_{R}^{-}: 이미터에서의 재결합으로 인한 전자유속
J_{G}^{+}: 전자, 정공의 생성은 역방향으로 인가한 B-C접합에서 일어나고, 이 생성으로 인해 만들어진 정공유속
J_{pC0}^{-}: B-C접합에서 이상적인 역방향 포화전류
다음 그림은 npn형 BJT에서 대응하는 전기적 전류밀도의 성분들을 나타낸 것이고 순방향 활성모드에 대한 소수 캐리어 분포이다.
npn형 BJT의 전류는 소수 캐리어의 확산전류이고, 전류밀도들은 다음과 같이 정의한다.
J_{nE}: 베이스 내부 x=0에서 소수 캐리어 전자의 확산에 기인한 것
J_{nC}: 베이스 내부 x=x_{B}에서 소수 캐리어 전자의 확산에 기인한 것
J_{RB}: J_{nE}와 J_{nC}사이의 차이로 베이스에서 다수 캐리어인 정공과 포화 소수 캐리어인 전자의 재결합에 기인한다
J_{RB}전류는 재결합에 의해 소실된 정공을 대체하기 위한 베이스 내부의 정공의 흐름이다
J_{pE}: 이미터 내부 x'=0에서 소수 캐리어 정공의 확산에 기인한 것
J_{R}: 순방향으로 인가한 B-C접합에서 캐리어의 재결합에 기인한 것
J_{pc0}: 컬렉터 x''=0에서 소수 캐리어 정공의 확산에 기인한 것
J_{G}: 역방향으로 인가한 B-C접합에서 캐리어의 생성에 기인한 것
전류 J_{RB}, J_{pE}, J_{R}은 단지 B-E접합의 전류이고 컬렉터 전류에는 기여하지 않는다. 전류 J_{pc0}와 J_{G}는 단지 B-C접합의 전류이다. 이들 전류성분들은 BJT의 동작, 전류이득에 영향을 주지 않는다.
공통-베이스 직류전류이득은 \displaystyle\alpha_{0}=\frac{I_{C}}{I_{E}}로 정의한다.
컬렉터와 이미터의 활성 단면적이 동일하다고 가정하면, 이 때의 전류밀도에 의한 전류이득은 \displaystyle\alpha_{0}=\frac{J_{C}}{J_{E}}=\frac{J_{nC}+J_{G}+J_{pc0}}{J_{nE}+J_{R}+J_{pE}}로 나타낼 수 있다. 소신호 또는 정현파, 공통-베이스 전류이득은 \displaystyle\alpha=\frac{\partial J_{C}}{\partial J_{E}}=\frac{J_{nC}}{J_{nE}+J_{R}+J_{pE}}로 정의한다. 이 식을\alpha=\left(\frac{J_{nE}}{J_{nE}+J_{pE}}\right)\left(\frac{J_{nC}}{J_{nE}}\right)\left(\frac{J_{nE}+J_{pE}}{J_{nE}+J_{R}+J_{pE}}\right)=\gamma\alpha_{T}\delta로 나타낼 수 있는데 여기서
\displaystyle\gamma=\frac{J_{nE}}{J_{nE}+J_{pE}}는 이미터 주입 효율인자(emitter injection efficiency factor)로 이미터에서 소수 캐리어 정공 확산전류를 설명한다. J_{pE}는 컬렉터 전류의 부분이 아니기 때문에 트랜지스터의 동작에 영향을 주지 않는다. \alpha=1인 경우가 이상적이다.
\displaystyle\alpha_{T}=\frac{J_{nC}}{J_{nE}}는 베이스 전송 인자(base transport factor)로 베이스에서 포화 소수 캐리어 전자의 재결합을 설명한다. 이상적인 경우는 베이스에서 재결합이 일어나지 않는 것이다.
\displaystyle\delta=\frac{J_{nE}+J_{pE}}{J_{nE}+J_{R}+J_{pE}}는 재결합 인자(recombination factor)로 순방향으로 인가한 B-E접합을 설명한다. 전류 J_{R}은 이미터 전류에 영향을 주지만 컬렉터 전류에는 영향을 주지 않는다.\begin{align*}J_{pE}&=-eD_{E}\frac{d\{\delta p_{E}(x')\}}{dx'}_{x=0}=\frac{eD_{E}p_{E0}}{L_{E}}\{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1\}\frac{1}{\tanh\frac{x_{E}}{L_{E}}}\\J_{nE}&=-eD_{B}\frac{d\{\delta n_{B}(x)\}}{dx}_{x=0}=\frac{eD_{B}n_{B0}}{L_{B}}\left\{\frac{1}{\sinh\frac{x_{B}}{L_{B}}}+\frac{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1}{\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}\right\}\end{align*}이고 양의 J_{pE}, J_{nE}값들은 전류가 이 그림의 방향과 같다는 것을 의미한다. B-E접합이 \displaystyle V_{BE}\gg\frac{kT}{e}가 되도록 순방향 바이어스를 충분히 인가하면e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}\gg1,\,\frac{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}}{\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}\gg\frac{1}{\sinh\frac{x_{B}}{L_{B}}}이고 이때의 이미터 주입 효율은\gamma=\frac{J_{nE}}{J_{nE}+J_{pE}}=\frac{1}{1+\frac{J_{pE}}{J_{nE}}}=\frac{1}{1+\frac{p_{E0}D_{E}L_{B}}{n_{B0}D_{B}L_{E}}\frac{\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}{\tanh\frac{x_{E}}{L_{E}}}}이다. 만약 이 식에서 p_{E0}, n_{B0}를 제외한 나머지가 모두 상수라고 하면 \displaystyle p_{E0}=\frac{n_{i}^{2}}{N_{E}}\ll \frac{n_{i}^{2}}{N_{B}}=n_{B0}이어야 하고 여기서 N_{E}, N_{B}는 각각 이미터, 베이스의 불순물 도핑농도이다. 그러면 N_{E}\gg N_{B}이어야 하고 1에 가까운 \gamma값을 갖기 위해서는 이미터 도핑이 베이스 도핑보다 더 많아야 한다. 이것은 p형 베이스의 정공보다 n형 이미터로 더 많은 전자들이 B-E공간전하 영역으로 진입함을 뜻하고 x_{B}\ll L_{B}, x_{E}\ll L_{E}이면 근사 \sinh x\approx x를 이용하여 \displaystyle\gamma\approx\frac{1}{1+\frac{N_{B}D_{E}x_{B}}{N_{E}D_{B}x_{E}}}로 나타낼 수 있다.\begin{align*}J_{nC}&=-eD_{B}\frac{d\{\delta n_{B}(x)\}}{dx}_{x=x_{B}}=\frac{eD_{B}n_{B0}}{L_{B}}\left\{\frac{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1}{\sinh\frac{x_{B}}{L_{B}}}+\frac{1}{\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}\right\}\\J_{nE}&=-eD_{B}\frac{d\{\delta n_{B}(x)\}}{dx}_{x=0}=\frac{eD_{B}n_{B0}}{L_{B}}\left\{\frac{1}{\sinh\frac{x_{B}}{L_{B}}}+\frac{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}-1}{\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}\right\}\end{align*}이고 B-E접합이 \displaystyle V_{BE}\gg\frac{kT}{e}가 되도록 순방향 바이어스를 충분히 크게 인가하면 e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}\gg1이고 이때\alpha_{T}=\frac{J_{nC}}{J_{nE}}\approx\frac{e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}+\cosh\frac{x_{B}}{L_{B}}}{1+e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}\cosh\frac{x_{B}}{L_{B}}}이다. \alpha_{T}가 1에 가깝도록 하게 하려면 중성 베이스폭 x_{B}는 베이스에서 소수 캐리어 확산길이 L_{B}보다 훨씬 더 작아야 한다(x_{B}\ll L_{B}). x_{B}\ll L_{B}이면 \displaystyle\cosh\frac{x_{B}}{L_{B}}>1이고 e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}\gg1이면 \displaystyle\alpha_{T}\approx\frac{1}{\cosh\frac{x_{B}}{L_{B}}}이다. x_{B}\ll L_{B}일 경우 테일러 전개로부터\alpha_{T}\approx\frac{1}{\cosh\frac{x_{B}}{L_{B}}}\approx\frac{1}{1+\frac{1}{2}\left(\frac{x_{B}}{L_{B}}\right)^{2}}\approx1-\frac{1}{2}\left(\frac{x_{B}}{L_{B}}\right)^{2}이므로 x_{B}\ll L_{B}이면 \alpha_{T}는 1에 가까워진다.
재결합 인자는 J_{pE}\ll J_{nE}라고 가정하면 \displaystyle\delta=\frac{J_{nE}+J_{pE}}{J_{nE}+J_{R}+J_{pE}}\approx\frac{J_{nE}}{J_{nE}+J_{R}}=\frac{1}{1+\frac{J_{R}}{J_{nE}}}이다. 순방향으로 인가한 pn접합에서 재결합에 기인한 재결합 전류밀도는 \displaystyle J_{R}=\frac{ex_{BE}n_{i}}{2\tau_{0}}e^{\frac{eV_{BE}}{2kT}}=J_{r0}e^{\frac{eV_{BE}}{2kT}}이고 여기서 x_{BE}는 B-E 공간 전하폭이다. 또한 J_{nE}\approx J_{s0}e^{\frac{eV_{BE}}{kT}}이고 \displaystyle J_{s0}=\frac{eD_{B}n_{B0}}{L_{B}\tanh\frac{x_{B}}{L_{B}}}이므로 \displaystyle\delta=\frac{1}{1+\frac{J_{r0}}{J_{s0}}e^{-\frac{eV_{BE}}{2kT}}}이고 V_{BE}가 커질수록 \delta는 1에 가까워진다.
공통 베이스 전류이득은 \displaystyle\alpha_{0}=\frac{I_{C}}{I_{E}}이고 공통 이미터 전류이득은 \displaystyle\beta_{0}=\frac{I_{C}}{I_{B}}이다. I_{E}=I_{B}+I_{C}이므로 \displaystyle\frac{I_{E}}{I_{C}}=\frac{I_{B}}{I_{C}}+1이고 \displaystyle\frac{1}{\alpha_{0}}=\frac{1}{\beta_{0}}+1이며 실제 직류와 소신호 조건 둘 다 맞기 때문에 첨자를 없애고\beta=\frac{\alpha}{1-\alpha},\,\alpha=\frac{\beta}{1+\beta}로 나타낼 수 있다.
이미터 주입 효율 \displaystyle\gamma\approx\frac{1}{1+\frac{N_{B}D_{E}x_{B}}{N_{E}D_{B}x_{E}}}\,(x_{B}\ll L_{B},\,x_{E}\ll L_{E}) 베이스 전송 인자 \displaystyle\alpha_{T}\approx\frac{1}{1+\frac{1}{2}\left(\frac{x_{B}}{L_{B}}\right)^{2}}\,(x_{B}\ll L_{B}) 재결합 인자 \displaystyle\delta=\frac{1}{1+\frac{J_{r0}}{J_{s0}}e^{-\frac{eV_{BE}}{2kT}}} 공통 베이스 전류이득 \displaystyle\alpha=\gamma\alpha_{T}\delta\approx\frac{1}{1+\frac{N_{B}D_{E}x_{B}}{N_{E}D_{B}x_{E}}+\frac{1}{2}\left(\frac{x_{B}}{L_{B}}\right)^{2}+\frac{J_{r0}}{J_{s0}}e^{-\frac{eV_{BE}}{2kT}}} 공통 이미터 전류이득 \displaystyle\beta=\frac{\alpha}{1-\alpha}\approx\frac{1}{\frac{N_{B}D_{E}x_{B}}{N_{E}D_{B}x_{E}}+\frac{1}{2}\left(\frac{x_{B}}{L_{B}}\right)^{2}+\frac{J_{r0}}{J_{s0}}e^{-\frac{eV_{BE}}{2kT}}} |
참고자료:
Introduction to Semiconductor Devices, Neamen, McGraw-Hill
Semiconductor Physics and Devices 4th edition, Neamen, McGraw-Hill
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