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전자공학/반도체2019. 6. 7. 08:00
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[반도체] 11. MOSFET의 동작(2)



여기서 드레인 전류 ID, 게이트-소스 전압 VDS, 드레인-소스 전압 VDS 사이의 수학적 관계를 유도할 것이다. 다음의 그림은 수학적 관계를 유도하는데 이용할 MOSFET 소자의 기하학적 구조를 나타낸 것이다.

이 해석을 위해 다음의 가정들이 필요하다.

1. 채널에서의 전류는 확산이 아닌 표동에 의해 발생한다.

2. 게이트 산화막을 통과하는 전류는 없다.

3. 경사형 채널 근사(gradual channel approximation)를 EyyExx에 이용한다. 이 근사는 Ex가 일정하다는 것(상수)을 뜻한다.

4. 모든 고정 산화막 전하는 산화막-반도체 계면에서의 등가전하 밀도이다.

5. 채널 내부에서 캐리어의 이동도는 일정하다.


옴의 법칙에 의해 Jx=σEx이고 여기서 σ는 채널의 전도도, Ex는 드레인-소스 전압에 의해 채널을 따라 만들어지는 전기장이다. σ=eμnn(y)이고 여기서 μn은 전자 이동도, n(y)는 전자 반전층에서의 전자농도이다. 

총 채널전류 Ixyz방향으로 단면적 전체에 대해 Jx를 적분하여 구한다. Ix=yzJxdzdy이고 반전층의 단위 면적당 전하는 Qn=en(y)dy이므로 Ix=WμnQnEx이다. 여기서 W는 채널의 폭으로 z축 방향에 대한 적분으로 발생한 값이다.

전류-전압 특성을 유도하기 위해 전하 중성 조건과 가우스 법칙을 이용한다. 다음의 그림은 VGS>VT에 대한 소자 전체의 전하밀도를 나타낸 것이다.

모든 전하들은 단위면적당 전하이고 전하 중성 조건에 의해 Qm+Qss+Qn+QSD(max)=0이다. 반전층 전하와 공간 전하는 n채널 소자에서 음의 값을 갖는다.

가우스 법칙은 SϵEndS=QT이고 여기서 적분은 폐곡면 S 전체에 대한 것이고 QT는 표면에 의해 둘러싸인 총 전하, En은 표면 S를 가로질러 바깥으로 향하는 전기장의 법선성분이다. 이 가우스 법칙은 아래 그림에서 정의한 표면에 대해 적용할 수 있다.

표면이 폐곡면이어야 하기 때문에 xy평면에서 두 표면의 끝을 고려해야 하나 전기장에는 z성분이 없으므로 두 표면의 끝은 가우스 법칙에서 고려할 필요가 없다.

위 그림에서 1, 2로 표시된 표면을 고려하자. 경사형 채널근사로부터 Ex는 채널의 길이 방향에 대해 일정하다. 이것은 표면 2로 들어가는 Ex가 표면 1로부터 바깥으로 나가는 Ex와 같다는 것이다. 가우스 법칙의 적분은 바깥으로 향하는 전기장의 성분을 포함하기 때문에 표면 1, 2에 대한 적분의 결과는 서로 상쇄된다(적분값은 0). 면 3은 중성 p영역에 있으므로 있으므로 이 표면에서 전기장은 0이다.

따라서 표면 4만이 남게 된다. 산화막 내부의 전기장의 방향을 고려하면SϵEndS=ϵoxEoxWdx=QT이고 여기서 ϵox는 산화막의 유전율이며 폐곡면 내부의 총 전하는 QT={Qss+Qn+QSD(max)}Wdx이다. 그러면 ϵoxEox=Qss+Qn+QSD(max)이고 Eox에 대한 식을 구해야 한다.

위의 왼쪽 그림은 산화막과 채널을 표현하고 있고 소스가 접지전위에 있다고 가정한다. 전압 Vx는 채널길이를 따라 어떤 x점에서의 채널 내부의 전위이다. x에서 산화막 양단의 전위차는 VGS, Vx및 금속-반도체 일함수의 차이에 대한 함수로 나타난다. 위의 오른쪽 그림은 x점에서 MOS 구조를 통한 에너지밴드 그림을 나타낸 것이다. p형 반도체 내부의 페르미 준위는 EFp이고 금속 내부의 페르미 준위는 EFm이므로 EFpEFm=e(VGSVp)이다. 

전위장벽을 고려하면 VGSVx=(ϕm+Vox)(χ+Eg2eϕs+ϕfp)이고 VGSVx=Vox+2ϕfp+ϕms로 나타낼 수 있다. 여기서 ϕms는 금속-반도체 일함수의 차이이고 반전상태에 대해 ϕs=2ϕfp이다. 

산화막 내부의 전기장은 Eox=Voxtox이고 위의 식들을 결합하면ϵoxEox=ϵoxtox{(VGSVx)(ϕms+2ϕfp)}=Qss+Qn+QSD(max)이고,Ix=WμnCoxdVxdx{(VGSVx)VT}이다. 여기서 Ex=dVxdx이고 VT는 문턱전압이다.

채널길이 전체에 대해 위의 Ix를 적분하면L0Ixdx=WμnCoxVx(L)Vx(0){(VGSVT)Vx}dVx이고 이동도 μn은 일정하다고 가정한다. n채널 소자에 대해, 드레인 전류는 드레인 단자로 들어가고 전체 채널 길이를 따라 일정하다. ID=Ix라고 하면 위의 적분식은 ID=WμnCox2L{2(VGSVT)VDSV2DS}이고 VGSVT0VDSVDS(sat)일 때 이용할 수 있다.

위의 식을 다음과 같이 나타낼 수 있다.ID=kn2WL{2(VGSVT)VDSV2DS}=Kn{2(VGSVT)VDSV2DS}다음의 그림은 VGS의 몇몇 값들에 대한 IDVGS그래프이다.

IDVDS=0으로부터 전류가 최댓값을 가질 때의 VDS를 구할 수 있다. 위의 식에서 VDS=VGSVT일 때 전류가 최대이다. 이 VDS값은 VDS(sat)로 포화가 일어나는 지점이다. VDS>VDS(sat)에 대해 이상적인 드레인 전류는 일정하고 ID(sat)=WμnCox2L{2(VGSVT)VDS(sat)V2DS(sat)}이다. 이 식을 VGSVT를 이용하여 나타내면 ID(sat)=WμnCox2L(VGSVT)2이고 VDSVDS(sat)에 대해 이용할 수 있으며 다음과 같이 나타낼 수 있다.ID=knW2L(VGSVT)2=Kn(VGSVT)2ID=WμnCox2L{2(VGSVT)VDSV2DS}은 0VDSVDS(sat)에 대해 비포화영역에서의 n채널 MOSFET에 대한 이상적인 전류-전압 관계식이고, 식 ID(sat)=WμnCox2L(VGSVT)2VDSVDS(sat)에 대해 포화영역에서의 n채널 MOSFET에 대한 이상적인 전류-전압 관계식이다.

이 식들은 n채널 증가형 소자에 대해서 유도된 것이고 공핍형 소자에 대해서도 똑같은 형태의 방정식을 얻는데 이때의 문턱전압 VT의 값은 음이다.


이동도와 문턱전압 파라미터들을 실험적으로 결정하기 위해 위의 결과들을 이용할 수 있다. 위의 결과로부터 매우 작은 VDS값들에 대해 ID=WμnCoxL(VGSVT)VDS이고 그 그래프는 다음과 같다.

위의 왼쪽 그림은 일정한 VDS에 대해 VGS에 대한 ID의 그래프이다. 이 그래프의 직선은 점들과 거의 일치하고 낮은 VGS값에서의 편차는 문턱전압 아래(subthreshold) 전도성 때문이며, 높은 VGS값에서의 편차는 게이트 전압의 영향에 의한 이동도의 변화 때문이다. 전류가 0이 되도록 직선을 연장하면 문턱전압을 얻고 그 기울기는 반전 캐리어 이동도에 비례한다. 

위의 오른쪽 그림은 식 ID(sat)=WμnCox2L(VGSVT)에 대한 그래프이다. 


p채널 소자의 전류-전압 관계는 n채널 소자와 같은 방법으로 구할 수 있다. 다음 그림은 p채널 증가형 MOSFET을 나타낸 것이다. 주의할 점은 전압의 극성과 전류방향이 n채널 소자와 반대라는 점과 이 소자에 대한 변경된 첨자표기이다.

위 그림에서 전류 방향에 대한 비포화 영역(0VSDVSD(sat))으로 바이어스된 p채널 MOSFET의 전압-전류 관계는 ID=WμpCox2L{2(VSG+VT)VSDV2SD}이고 이 식은 0VSDVSD(sat)에서 타당하며 다음과 같이 나타낼 수 있다.ID=kpW2L{2(VSG+VT)VSDV2SD}=Kp{2(VSG+VT)VSDV2SD}여기서 Kp는 p채널 소자의 전도변수로 Kp=WμpCox2L=Wkp2L이다.

트랜지스터가 포화영역으로 바이어스 되어 있을 때의 전류-전압 관계는 ID(sat)=WμpCox2L(VSG+VT)2이고 VSDVSD(sat)에서 타당하며 다음과 같이 나타낼 수 있다.ID=kpW2L(VSG+VT)2=Kp(VSG+VT)2소스-드레인 포화전압은 VSD(sat)=VSG+VT이고, p채널 MOSFET의 문턱전압 VT는 증가형 소자에서 음의 값을, 공핍형 소자에서 양의 값을 갖는다.

n채널 MOSFET

p채널 MOSFET 

전도 지점:

VDS(sat)=VGSVT

비포화 바이어스(VDSVDS(sat)):

ID=Kn{2(VGSVT)VDSV2DS}

포화 바이어스(VDSVDS(sat)):

ID=Kn(VGSVT)2 

전도 지점:

VSD(sat)=VSD+VT

비포화 바이어스(VSDVSD(sat))

ID=Kp{2(VSG+VT)VSDV2SD}

포화 바이어스(VSDVSD(sat))

ID=Kp(VSG+VT)2 

             

참고자료:

Introduction to Semiconductor Devices, Neamen, McGraw-Hill

Semiconductor Physics and Devices 4th edition, Neamen, McGraw-Hill           

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Posted by skywalker222