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19. 설계방법, 다단 BJT 회로



-설계방법


회로와 소자값이 주어졌을 때, 전류와 전압을 구하는 문제는 회로해석이고, 설계규격이 주어지고 회로와 소자값을 결정하는 문제는 회로설계이다. 회로를 설계할 때, 옴의 법칙 Runknown=VRIR을 이용하여 구한다.


위 오른쪽 고정 바이어스 회로의 RB, RC값을 구해야 한다. 부하선의 방정식이 IC=1RC(VCEVCC)이므로 위 부하선으로부터 VCC=20V이고, IC=8mA(VCE=0V)이다.

IC=VCCRC=20VRB=8mA이므로 RC=2.5kΩ이고 특성곡선으로부터 IB=40μA이므로

IB=VCCVBERB=20V0.7VRB=19.3VRB=40μA이고 RB=482.5kΩ이다. 

위 두값과 가까운 표준저항값은 RC=2.4kΩ,RB=470kΩ이고, 이때 IB=41.1μA이다. 

(오차 5% 이내의 결과)


위 전압분배기 바이어스 회로에서 R1RC값을 구해야 한다. 이 회로의 동작점은 ICQ=2mA, VCEQ=10V이고, β의 값을 모르기 때문에 근사방법을 사용해야 한다. 그러면VE=IEREICQRE=(2mA)(1.2kΩ)=2.4VVB=VBE+BE=0.7V+2.4V=3.1V이고, 이때 VB=R2R1+R2VCC=18kΩR1+18kΩ(18V)=3.1V이므로 324kΩ=3.1R1+55.8kΩ이고 R1=86.52kΩ이다.

VC=VCE+VE=10V+2.4V=12.4V이므로 RC=VRCIC=VCCVCIC=18V12.4V2mA=2.8kΩ이다. 

R1의 값과 가까운 표준저항의 값은 82kΩ이나 이 표준저항과 4.7kΩ 표준저항을 직렬로 연결한 저항 86.7kΩR1의 값과 가까운 값이다.


위의 이미터 바이어스 회로에서 RB,RC값을 구해야 한다. ICQ=12ICsat,ICsat=8mA, VC=18V,β=110이므로ICQ=12ICsat=4mA,RC=VRCICQ=VCCVCICQ=28V18V4mA=2.5kΩRC+RE=VCCICsat=28V8mA=3.5kΩ,RE=3.5kΩRC=3.5kΩ2.5kΩ=1kΩIBQ=ICQβ=4mA110=36.36μA이고 이때 IBQ=VCCVBERB+(1+β)RE이므로RB=VCCVBEIBQ(1+β)RE=28V0.7V36.36μA(111)(1kΩ)=639.8kΩ이다. RC,RE,RB의 값과 가까운 표준저항 값은 RC=2.4kΩ,RE=1kΩ,RB=620kΩ이다.


회로를 설계할 때, 일반적인 값의 범위: VCE의 값의 범위는 14VCC34VCC이고, 가장 좋은 값은 12VCC이다. 이미터 저항이 존재할 때, VE의 값의 범위는 110VCC14VCC이고(가능하면 110VCC로 계산), 없으면 VE=0V로 설정한다.


위의 이미터 바이어스 회로에서 RB,RC,RE의 값을 구해야 한다. 이때 VE=110VCC=2V,VBE=0.7V이므로RE=VEIEVEIC=2V2mA=1kΩRC=VRCIC=VCCVCEVEIC=20V10V2V2mA=8V2mA=4kΩIB=ICβ=2mA150=13.33μARB=VRBIB=VCCVBEVEIB=20V0.7V2V13.33μA=1.3MΩ이다.


위의 전압분배기 회로는 누설전류와 β의 변화에 안정해야 하는 회로이므로 근사방법을 이용하여 설계한다. VE=110VCC=2V이므로RE=VEIE=VEIC=2V10mA=200ΩRC=VRCIC=VCCVCEVEIC=20V8V2V10mA=10V10mA=1kΩVB=VBE+VE=0.7V+2V=2.7V이다.

효율적인 회로의 작동을 위해서는 R1,R2에 흐르는 전류는 거의 같고, 이 전류들은 베이스 전류보다 훨씬(10배) 커야 한다.

근사방법을 적용하려면 βRE10R2이어야 하고, 이때 VB=R2R1+R2VCC이다. 그러면

R2110βRE=110(80)(0.2kΩ)=1.6kΩ이고, VB=2.7V=(1.6kΩ)(20V)R1+1.6kΩ이므로 R1=10.25kΩ(표준저항값 10kΩ)이고 R2의 값은 1.6kΩ보다 작아야 한다.


-다단 BJT회로


1) 2단 R-C결합 BJT 증폭기

위의 회로는 R-C결합 BJT증폭기로, 소자에 저항과 커패시터만 사용된 회로이다. R-C결합이라고 불린다. 이 회로의 직류등가회로는 다음과 같다.


2) 달링턴 회로

위의 왼쪽 회로는 앞단의 트랜지스터의 출력이 곧바로 다음단의 트랜지스터의 입력으로 연결된 달링턴 회로이다. 입력저항이 매우 높기 때문에 내부저항이 높은 전압원에 영향을 주지 않는다. 오른쪽 회로는 달링턴 회로의 직류등가회로이다.

IB2=IE1=(1+β1)IB1이고 IE2=(1+β2)IB2=(1+β2)(1+β1)IB1β1β2IB1=βDIB1(βD=β1β2)이다.

단일 트랜지스터로 간주한다면, 전류이득은 βD=β1β2이다.

오른쪽 직류등가회로에서VCC=IB1RB+VBE1+VBE2+IE2RE=IB1RB+VBE1+VBE2+βDIB1REIE2IC2βDIB1IB1=VCCVBE1VBE2RB+(1+βD)RE=VCCVBEDRB+(1+βD)REIC2=βDIB1VCE2VC2VE2=VCCIE2REVCCIC2RE이다.


3) 캐스코드 회로

위에서 왼쪽 회로는 공통 이미터 회로와 공통 베이스 회로가 연결된 캐스코드 회로로 밀러 커패시턴스를 줄이고, 교류이득을 높이기 위한 목적으로 제작된 회로이다.

캐스코드 회로의 직류해석을 할 때는 바이어스 저항 R1,R2,R3에 흐르는 전류는 각각의 트랜지스터의 베이스 전류보다 높다고 가정한다. 즉 IR1IR2IR3IB1orIB2이라 하자. 

베이스 전압은 VB1=R3R1+R2+R3VCC,VB2=R2+R3R1+R2+R3VCC이고,

이미터 전압은 VE1=VB1VBE1,VE2=VB2VBE2,

컬렉터에 흐르는 전류는 IC2IE2IC1IE1=VB1VBE1RE,

컬렉터 전압은 VC1=VB2VBE2,VC2=VCCIC2RC,

바이어스 저항에 흐르는 전류는 IR1IR2IR3=VCCR1+R2+R3,

베이스 전류는 IB1=IC1β1,IB2=IC2β2이다.


*BJT 증폭기의 단점은 입력저항이 작다는 것이다.


4) 직결 증폭기

위의 왼쪽 회로는 직결 증폭기 회로로 결합 커패시터로 인해 발생되는 저주파의 한계를 직류로 확장시킬 수 있다는 장점이 있으나 직류값이 다른 단에 영향을 준다는 단점이 있다. 오른쪽 회로는 직결 증폭기 회로의 직류등가회로이고, 오른쪽 회로의 왼쪽 부분에 대한 테브난 등가회로를 구하면RTh=R1||R2=(33kΩ)(10kΩ)33kΩ+10kΩ=7.67kΩETh=R1R1+R2VCC=10kΩ33kΩ+10kΩ(14V)=3.26V이다. 그러면IB1=EThVBE1RTh+(1+β)RE1=3.26V0.7V7.67kΩ+(101)(2.2kΩ)=2.56V229.2kΩ=11.17μA,ICIC1=βIB1=100(11.17μA)=1.12mAVB2=VCCICRC=14V(1.12mA)(6.8kΩ)=14V7.62V=6.38VVE2=VB2VB2E2=6.38V0.7V=5.68V,IE2=VE2RE2=5.68V1.2kΩ=4.73mAIC2(VB2E2=0.7V)IE2=4.73mA,VC2=14V,VCE2=VCCVE2=14V5.68V=8.32V이다.


참고자료:

Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Pearson  

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Posted by skywalker222