6. 테브난 등가회로
1. 실험목적
복잡한 회로를 간단한 회로로 나타내어 해석하게 하는 테브난 등가회로를 구하고, 이를 실험으로 검증한다.
2. 실험이론
테브난 이론은 위의 그림과 같이 두 단자 사이에 나타나는 임의의 선형 회로망을 하나의 전압 VTH와 하나의 저항 RTH로 나타낼 수 있다는 이론이다.
이때 등가전압 VTH는 원래의 회로에서 두 단자를 개방시켰을 때 두 단자 사이의 전압을 뜻하고, 등가저항 RTH는 회로망 내부의 모든 전원을 0으로 놓았을 때(전류원은 개방, 전압원은 단락), 두 단자 사이에 나타나는 저항을 뜻한다.
위의 그림 위의 왼쪽 회로 (1)에서 점선박스 부분에 대한 테브난 등가회로를 구하자. 테브난 이론으로부터 점선박스 부분은 하나의 등가저항과 하나의 등가전압의 직렬연결로 나타낼 수 있다. 테브난 등가전압은 RL이 제거된 위의 오른쪽 회로 (2)에서 제거된 부분의 두 단자 A와 B 사이에 나타나는 전압이므로VTH=R2R1+R2VS이다. 테브난 등가저항 RTH는 RL이 제거되고, 전원도 제거된 아래의 오른쪽 회로 (3)에서 RL자리 사이에 나타나는 저항이므로RTH=(R1||R2)+R3=R1R2R1+R2+R3이다. 앞에서 구한 등가전압 VTH와 등가저항 RTH를 RL과 직렬로 연결하면 아래의 왼쪽 회로(4)와 같은 테브난 등가회로가 구해진다. 이때 부하저항 RL에 흐르는 전류 IL과 RL은IL=VTHRTH+RL,VL=RLRTH+RLVTH이다.
더욱 복잡한 회로일 수록 테브난 이론을 활용하여 회로를 해석하는 것이 효율적인 방법이다.
위 그림의 회로는 전원이 두개 있어서 복잡하게 보일 수 있다. 그러나 중첩의 원리를 이용하여 쉽게 테브난 등가회로를 구할 수 있다.
전압원 V1을 단락시켰을 때의 테브난 등가전압을 VTH1, 전압원 V2를 단락시켰을 때의 테브난 등가전압을 VTH2라고 하자. 그러면VTH1=−R3R1+R2+R3V2,VTH2=R3R1+R2+R3V1이므로VTH=VTH1+VTH2=R3R1+R2+R3(V1−V2)이다. 한편, 테브난 등가저항 RTH는 두 전원 V1,V2를 모두 단락시켰을 때, RL자리 사이에 나타나는 저항이므로RTH=((R1+R2)||R3)+R4=(R1+R2)R3(R1+R2)+R3+R4이다.
3. 실험
1) 사용기기 및 부품
직류전원 공급기, 디지털 멀티미터, 저항 100Ω,220Ω,330Ω,470Ω,1kΩ,3.3kΩ저항, 가변저항 1kΩ
2) 실험과정
(1)
위의 그림과 같이 회로를 구성한다. 여기서 VS=5V,R1=1kΩ,R2=330Ω,R3=220Ω이다.
(2) RL=470Ω,1kΩ,3.3kΩ,0(no load)Ω일 때의 VL과 IL(저항 RL에 흐르는 전류)을 구하고, 그 결과를 기록한다.
(3) 저항 RL을 제거한 후, 그 자리에 나타나는 테브난 등가전압 VTH를 측정하고, 전압원을 단락시킨 후 RL자리에 나타나는 테브난 등가저항 RTH를 측정하여 기록한다.
(4) 과정 (3)에서 측정한 테브난 등가전압과 테브난 등가저항을 직류전원 공급기와 가변저항을 이용하여 테브난 등가회로를 구성한 다음, RL=470Ω,1kΩ,3.3kΩ,0(no load)Ω일 때의 VL과 IL을 구하고, 그 결과를 기록한다.
(5)
위의 그림과 같이 브릿지회로를 구성한다. 여기서 VS=5V,R1=100Ω,R2=220Ω,R3=330Ω,R4=470Ω이다.
(6) 이 브릿지회로에 대해 과정 (2), (3)을 반복하고, 테브난 등가전압 VTH와 테브난 등가저항 RTH를 측정하여 기록한다.
(7) 이 브릿지회로에 대해 과정 (4)를 반복하고, 그 결과를 기록한다.
(8) 본 실험으로 얻은 측정값과 이론값을 비교한다.
참고자료
기초 전자전기실험, 김동일 외 4인, 두양사
https://www.academia.edu/34809074/LAB_Thevenin
http://contents.kocw.or.kr/contents4/document/lec/2013/Mokwon/OhYongsun1/9.pdf
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