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[아날로그전자회로실험] 4. 공통 소스 FET 증폭기



1. 실험목적


공통 소스(자기 바이어스) FET 증폭기의 직류 바이어스 해석을 한 다음, 그 결과를 이용하여 증폭기의 전압이득 \(A_{v}\), 입력 임피던스 \(Z_{i}\), 출력 임피던스 \(Z_{o}\)를 구한다.


2. 실험이론


FET의 교류해석은 다음의 교류등가모델을 이용하여 해석한다. 이 FET의 교류등가모델은 모든 FET(JFET, MOSFET, MESFET 등)에 대해 적용가능하다.

위의 FET 교류등가모델에서 \(\displaystyle g_{m}=\frac{2I_{DSS}}{|V_{p}|}\left(1-\frac{V_{GS_{Q}}}{V_{p}}\right)\)이다.


(왼쪽: 공통 소스 FET 증폭기, 오른쪽: 공통 소스 FET 증폭기에 FET 교류 등가모델을 적용한 회로)


위의 FET 회로는 본 실험에서 다룰 공통 소스 FET 증폭기 회로이고, 소스 단자에 바이패스 커패시터 \(C_{S}\)가 연결되어 있어서 이 증폭기의 전압이득 \(A_{v}\)와 입력 임피던스 \(Z_{i}\), 출력 임피던스 \(Z_{o}\)는$$A_{v}=-g_{m}(r_{d}||R_{D}),\,Z_{i}=R_{G},\,Z_{o}=r_{d}||R_{D}$$이고, \(r_{d}\)를 무시하면(\(r_{d}=\infty\Omega\)),$$A_{v}=-g_{m}R_{D},\,Z_{i}=R_{G},\,Z_{o}=R_{D}$$이다.

*본 실험에서 \(r_{d}\)의 영향은 고려하지 않는다.


3. 실험


1) 실험장비 및 부품


오실로스코프, DMM, 함수발생기, 직류전원, \(510,\,1\text{k},\,2.4\text{k},\,10\text{k},\,1\text{M}\Omega\)저항, \(15\mu,\,100\mu\text{F}\) 커패시터, J2N3823 FET(또는 등가의 FET)

(FESTO 社의 FET 증폭기 실험장비)


2) 실험과정


드레인 포화 전류 \(I_{DSS}\)와 핀치 오프 전압 \(V_{p}\)의 측정


*커브 트레이서가 있으면 커브 트레이서를 이용하여 \(I_{DSS}\)와 \(V_{p}\)의 값을 측정하고, 그렇지 않으면 다음 과정을 통해서 구한다.


(1) 다음 그림대로 회로를 구성하고(\(V_{DD}=20\text{V},\,R_{G}=1\text{M}\Omega,\,R_{D}=510\Omega,\,R_{S}=0\Omega\))

드레인 입력단자 전압 \(V_{D}\)를 측정한 다음, 식$$I_{D}=\frac{V_{DD}-V_{D}}{R_{D}}$$를 이용하여 드레인 전류 \(I_{D}\)를 계산한다.

이 값은 \(V_{GS}=0\text{V}\)일 때의 드레인 전류이므로 \(I_{D}=I_{DSS}\)이다.

(2) \(R_{S}=1\text{k}\Omega\) 저항을 연결하고(아래 그림 참고)

\(V_{GS}\)와 \(V_{D}\)를 측정하고, 다음의 식$$I_{D}=\frac{V_{DD}-V_{D}}{R_{D}},\,V_{p}=\frac{V_{GS}}{\displaystyle1-\sqrt{\frac{I_{D}}{I_{DSS}}}}$$를 이용하여 \(I_{D}\)와 \(V_{p}\)의 식을 계산한다.


공통 소스 직류 바이어스


(1) 아래 그림대로 회로를 구성하고(\(R_{G}=1\text{M}\Omega,\,R_{S}=510\Omega,\,R_{D}=2.4\text{k}\Omega,\,V_{DD}=20\text{V}\))

앞 실험에서 얻은 \(I_{DSS}\)와 \(V_{p}\)의 값을 이용하여 다음의 두 연립방정식$$I_{D}=I_{DSS}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_{p}}\right)^{2},\,V_{GS}=-I_{D}R_{S}$$를 연립하여 얻은 2차방정식$$\begin{align*}&\frac{I_{DSS}R_{S}}{V_{p}^{2}}V_{GS}^{2}+\left(1-\frac{2I_{DSS}R_{S}}{V_{p}}\right)V_{GS}+I_{DSS}R_{S}=0\\&\frac{I_{DSS}R_{S}^{2}}{V_{p}^{2}}I_{D}^{2}+\left(\frac{2I_{DSS}R_{S}}{V_{p}}-1\right)I_{D}+I_{DSS}=0\end{align*}$$중 하나를 선택해서 공학용 계산기를 이용하여 \(V_{GS},\,I_{D}\)의 값을 구하고, 식$$V_{D}=V_{DD}-I_{D}R_{D}$$를 이용하여 \(V_{D}\)를 계산한다.

(2) DMM을 이용하여 직류 바이어스 전압 \(V_{G},\,V_{S},\,V_{D},\,V_{GS}\)를 측정하고, 식$$I_{D}=\frac{V_{S}}{R_{S}}$$를 이용해 \(I_{D}\)를 계산한다. 이때 \(V_{D}\)는 DMM으로 측정한 전압값이다. 계산한 \(I_{D}\)값을 실험 (1)의 값과 비교한다.


공통 소스 증폭기


(1) 다음의 회로는 본 실험의 실험대상인 공통 소스 증폭기 회로이다.

위 회로에 대한 전압이득 \(A_{v}=-g_{m}R_{D}\)를 계산하는데 여기서$$g_{m}=\frac{2I_{DSS}}{|V_{p}|}\left(1-\frac{V_{GS}}{V_{p}}\right)$$이고, \(I_{DSS},\,V_{p}\)측정실험에서 얻은 \(I_{DSS},\,V_{p}\)의 값과 직류 바이어스 실험에서 얻은 \(V_{GS}\)의 값을 대입해서 구한다.

(2) 주파수가 \(1\text{kHz}\)이고, \(V_{\text{sig}}=100\text{mV}\)인 입력을 연결한 후, DMM을 이용하여 출력전압 \(V_{o}\)를 측정하고, 이 값을 이용하여 증폭기의 전압이득 \(\displaystyle A_{v}=\frac{V_{o}}{V_{\text{sig}}}\)를 계산한다. 이때 이 값을 실험 (1)의 값과 비교한다.

(3) 입력 임피던스와 출력 임피던스의 값은 각각 \(Z_{i}=R_{G},\,Z_{o}=R_{D}\)이다. 이 값들을 기록한다.

(4) \(R_{x}=1\text{M}\Omega\)저항을 입력신호 \(V_{\text{sig}}\)와 \(C_{1}\) 커패시터 사이에 연결한다.(아래그림 참고)

이 상태에서 \(V_{i}\)를 측정하고, 다음의 식$$V_{i}=\frac{Z_{i}}{Z_{i}+R_{x}}V_{\text{sig}}$$을 이용하여 얻은 식$$Z_{i}=\frac{V_{i}}{V_{\text{sig}}-V_{i}}R_{x}$$를 이용하여 \(Z_{i}\)를 계산한 후, 저항 \(R_{x}\)를 제거한다.

(5) 실험 (4)의 저항 \(R_{x}\)가 제거된 상태에서 \(V_{o}\)를 측정하고 출력단에 부하 저항 \(R_{L}=10\text{k}\Omega\)를 연결한 다음, 부하저항에 걸리는 전압 \(V_{L}\)을 측정하고, 다음의 식$$V_{L}=\frac{R_{L}}{Z_{o}+R_{L}}V_{o}$$를 이용하여 얻은 식$$Z_{o}=\frac{V_{o}-V_{L}}{V_{L}}R_{L}$$을 이용하여 \(Z_{o}\)를 계산한다.

(6) 실험 (4), (5)에서 얻은 \(Z_{i},\,Z_{o}\)의 값들을 실험 (1)의 값과 비교한다.


Pspice 시뮬레이션

공통 소스 FET 증폭기 회로. 유동(floating)을 방지하기 위해 \(V_{o}\) 단자에 \(1\text{M}\Omega\) 저항을 연결했고, FET는 J2N4393 JFET를 사용했다.

입력과 출력 파형.

전압이득 측정.

입력 임피던스 측정. FET는 입력 임피던스가 크다.

출력 임피던스를 구하기 위한 회로.

출력 임피던스 측정.


참고자료:

Laboratory Manual to accompany Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Monssen, Pearson

Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Pearson

https://www.labvolt.com/solutions/2_electronics/40-91010-20_fet_fundamentals

https://slideplayer.com/slide/9693875/  

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Posted by skywalker222