25. 증가형 MOSFET
증가형 MOSFET의 기본구조:
기본 구조는 공핍형 MOSFET에서 채널이 없는 경우이다. 그러므로 Shockley 방정식을 사용할 수 없다(Shockley 방정식은 채널이 있는 소자만 사용가능하다). VGS가 작으면 채널이 형성되지 않기 때문에 ID=0A이고, n채널에서 VGS(>0)에 의해 전류가 제어된다.
기본 동작과 특성
VGS=0V,VDS>0V일 때, 채널이 없기 때문에 ID=IS=0A이고, 드레인(D)과 기판(SS) 사이는 역방향 바이어스, 소스(S)와 기판(SS)사이는 바이어스가 없다.
VGS>0V,VDS>0V일 때
VGS(>0)는 SiO2층 가까이에 있는 p기판의 정공들을 밀어내고 전자들을 잡아당긴다. 이 전자들이 채널을 형성시켜서 전류를 흐르게 한다. 드레인 전류 ID를 발생시키는 VGS를 문턱전압이라 하고, VT 또는 VGS(Th)로 나타낸다. VGS=0V일 때 없는 채널이 VGS>0V일 때, 형성되므로 증가형 MOSFET라고 한다.
VGS<0V이면 채널이 형성되지 않아 ID=0A이고, VGS>VT이면, 채널의 캐리어인 전자가 증가해, 전류 ID가 증가한다. VGS(>0)가 상수이고, VDS를 계속 증가시키면, ID는 포화된다.
(VDS의 역방향 바이어스(드레인과 기판 사이)에 의해 드레인 부분에 핀치오프 현상이 나타난다)
VDSsat=VGS−VT이고, VGS가 증가하면(유효채널폭이 넓어짐), VDSsat가 증가하게 된다(핀치오프 현상을 만들기 위해 큰 전압 필요).
VGS<VT이면, ID=0A이고, VGS>VT이면, VGS와 ID사이의 관계는ID=k(VGS−VT)2이고, 이것은 포화영역에서 VGS와 ID의 관계식으로 전달특성 곡선을 표현한 것이다. k는 소자의 구조에 의해 결정되고, ID(ON)과 VGS(ON)이 특성곡선상의 한 점일 때, k값은k=ID(ON)(VGS(Th)−VT)2이다. 참고로 이 식은 VDS를 포화전압 이상으로 인가해야 사용할 수 있다.
위 그림에서 왼쪽은 ID=k(VGS−VT)2로 나타나는 전달특성곡선이다.
VGS<VT이면, ID=0A이고, JFET, 공핍형 MOSFET와 다르다. VGS>VT이면, 식 ID=k(VGS−VT)2를 사용할 수 있다.
아래는 VT=4V,k=0.5×10−3A/V2를 가진 증가형 MOSFET의 전달특성곡선을 그리는 과정이다.
p채널 증가형 MOSFET
전압극성과 전류의 방향이 n채널과 반대이다. 즉, VT<0V,VDS<0V,VGS<0V.
증가형 MOSFET의 기호:
증가형 MOSFET의 규격서:
위 규격표는 모토롤라 사(社)에서 제작한 2N4351 n채널 증가형 MOSFET의 규격표이다.
위 규격표에서 VGS(Th)=3V,ID(ON)=3mA,VGS(ON)=10V일 때, k=ID(ON)(VGS(ON)−VGS(Th))2=0.061×10−3A/V2이므로 ID=k(VGS−VT)2=0.061×10−3(VGS−3V)2이고, 특성곡선은 다음과 같다.
참고자료:
Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Pearson
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