[기초전자회로실험] 11. BJT 이미터 바이어스, 컬렉터 피드백 바이어스 회로
1. 실험목적
BJT 이미터 바이어스와 컬렉터 피드백 바이어스 회로의 동작점을 결정한다.
2. 실험이론
이미터 바이어스 회로
위 그림의 이미터 바이어스 회로는 한개(저항 \(R_{B},\,R_{C}\) 동시연결) 또는 두개의 전원(저항 \(R_{B},\,R_{C}\)각각)을 이용하여 나타낼 수 있다. 이 두 경우 모두 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 특히 \(\beta R_{E}\gg R_{B}\)(\(\beta R_{E}\)값이 \(R_{B}\)보다 매우 크다)이면, 이미터 전류는 BJT의 \(\beta\)의 영향을 받지 않는다. 따라서 \(\beta R_{E}\gg R_{B}\)인 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, \(I_{C}\)와 \(V_{CE}\)의 변화는 거의 없다.
컬렉터 피드백 회로
위 그림의 컬렉터 피드백 회로를 고정 바이어스 회로와 비교한다면, 베이스 저항 \(R_{B}\)이 BJT의 컬렉터 단자에 연결되어 있으므로 컬렉터 피드백 구조에서 베이스 저항에 걸리는 전압은 컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 영향을 받는다. 특히 이 회로는 출력 변수가 증가 또는 감소하면, 입력변수가 각각 감소 또는 증가한다(피드백의 원리, \(I_{C}\)가 증가하면 \(V_{C}\)가 감소해서 증가한 \(I_{C}\)를 상쇄해서 \(I_{B}\)를 감소시킨다). 이 결과는 컬렉터 피드백 구조가 (소자 교체에 따른) 변수의 변화에 덜 민감함을 보여준다.
3. 실험
1) 실험장비 및 부품
DMM, \(2.2\text{k},\,3\text{k},\,390\text{k},\,1\text{M}\Omega\)저항, Q2N3904, Q2N4401 BJT(없으면 등가의 BJT), 직류전원,
2) 실험과정
\(\beta\)값 결정
(1) Q2N3904 BJT를 이용하여 아래의 그림대로 회로를 구성하고, 저항값 \(R_{B}=R_{B(\text{meas})},\,R_{C}=R_{C(\text{meas})},\,R_{E}=R_{E(\text{meas})}\)들을 DMM으로 측정한다.
(2) 전압 \(V_{B},\,V_{R_{C}}\)를 측정한다.
(3) 실험 (2)의 결과와 측정한 저항값을 이용하여 베이스 전류 \(I_{B}\)와 컬렉터 전류 \(I_{C}\)를 계산한다.$$I_{B}=\frac{V_{CC}-V_{B}}{R_{B}},\,I_{C}=\frac{V_{R_{C}}}{R_{C}}$$계산한 전류값들을 아래의 표에 기록한다.
(4) 실험 (3)의 결과를 이용하여 \(\beta\)값을 계산하고 표2에 기록한다.(Q2N3904 BJT에 대해서 이 \(\beta\)값을 사용한다)
이미터 바이어스 회로의 동작점 결정
(1) \(\beta\) 결정 실험에서 측정한 저항값, \(\beta\)값, 공급전압 \(V_{CC}\)를 이용하여 아래의 회로에 대해 \(I_{B},\,I_{C}\)를 계산하고, \(\beta\)값 측정실험의 (3)과 비교하고 이 값들을 표1에 기록한다.
(2) \(\beta\) 결정 실험의 \(\beta\)를 이용하여 전압값 \(V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{BE},\,V_{CE}\)들을 표1에 기록한다.
(3) Q2N3904로 구성된 위 회로에 전원을 인가해서 전압값 \(V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{BE},\,V_{CE}\)들을 측정하고 표2에 기록하고 표1과 표2의 값들을 비교한다(편차가 큰 자료에 대해서는 설명을 할 것).
(4) 위 회로에서 Q2N3904 BJT를 2N4401 BJT로 바꾸고 전압 \(V_{B},\,V_{R_{C}}\)를 측정한 다음 측정한 저항값을 이용하여 전류 \(I_{B},\,I_{C}\)를 계산하고, 이 값들을 이용하여 \(\beta\)값을 계산한다(이 \(\beta\)값은 Q2N4401 BJT의 \(\beta\)값이다). 계산한 \(I_{B},\,I_{C},\,\beta\)를 표2에 기록한다.
(5) 실험 (4)에서 계산한 Q2N4401의 \(\beta\)를 이용하여 위 회로를 이론적으로 해석해 \(I_{B},\,I_{C},\,V_{B}\)와 \(V_{C},\,V_{E},\,V_{BE},\,V_{CE}\)를 계산해 표1에 기록한다.
(6) Q2N4401 BJT로 교체한 회로에 전원을 인가해서 \(V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{BE},\,V_{CE}\)를 측정하고 표2에 기록한다. Q2N4401 BJT에 대해 표1과 표2의 값들을 비교한다(편차가 큰 자료에 대해서는 설명을 할 것).
표1
BJT 종류 |
\(V_{B}(\text{V})\) |
\(V_{C}(\text{V})\) |
\(V_{E}(\text{V})\) |
\(V_{BE}(\text{V})\) |
\(V_{CE}(\text{V})\) |
\(I_{B}(\mu\text{A})\) |
\(I_{C}(\text{mA})\) |
Q2N3904 |
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Q2N4401 |
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표2
BJT 종류 |
\(V_{B}(\text{V})\) |
\(V_{C}(\text{V})\) |
\(V_{E}(\text{V})\) |
\(V_{BE}(\text{V})\) |
\(V_{CE}(\text{V})\) |
\(I_{B}(\mu\text{A})\) |
\(I_{C}(\text{mA})\) |
\(\beta\) |
Q2N3904 |
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Q2N4401 |
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(7) 위의 표2의 자료 \(\beta,\,I_{C},\,V_{CE},\,I_{B}\)에 대해 다음의 식을 적용해 변화를 계산하고 아래의 표에 기록한다(Q2N3904 BJT 기준).$$\begin{align*}\Delta\beta&=\left|\frac{\beta_{(4401)}-\beta_{(3904)}}{\beta_{(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta I_{C}&=\left|\frac{I_{C(4401)}-I_{C(3904)}}{I_{C(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta V_{CE}&=\left|\frac{V_{CE(4401)}-V_{CE(3904)}}{V_{CE(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta I_{B}&=\left|\frac{I_{B(4401)}-I_{B(3904)}}{I_{B(3904)}}\right|\times100\text{%}\end{align*}$$
\(\Delta\beta\) |
\(\Delta I_{C}\) |
\(\Delta V_{CE}\) |
\(\Delta I_{B}\) |
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컬렉터 피드백 구조
(1) Q2N3904 BJT를 이용하여 아래의 그림대로 회로를 구성하고, 저항값 \(R_{B}=R_{B(\text{meas})},\,R_{C}=R_{C(\text{meas})},\,R_{E}=R_{E(\text{meas})}\)들을 DMM으로 측정한다.
(2) \(\beta\)값 결정 실험에서 구한 \(\beta\)값을 이용하여 \(I_{B},\,I_{C},\,I_{E},\,V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{CE}\)를 계산하고 표3에 기록한다.
(3) 위 회로에 전원을 인가해 \(V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{CE}\)를 측정하고, 이 측정한 값들과 측정한 저항값을 이용해 \(I_{B},\,I_{C},\,I_{E}\)를 계산하여 표4에 기록한다. 실험 (2)의 값들과 비교한다.
(4) 위 회로의 BJT를 Q2N4401 BJT로 교체한 다음 앞의 실험(이미터 바이어스 회로의 동작점 결정)에서 구한 Q2N4401 BJT의 \(\beta\)값을 이용하여 \(I_{B},\,I_{C},\,I_{E},\,V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{CE}\)의 값들을 계산하고 표 3에 기록한다.
(5) Q2N4401 BJT로 구성된 위 회로에 전원을 인가해 \(V_{B},\,V_{C},\,V_{E},\,V_{CE}\)를 측정하고, 이 측정한 값들과 측정한 저항값을 이용해 \(I_{B},\,I_{C},\,I_{E}\)를 계산하여 4에 기록한다. 실험 (4)의 값들과 비교한다.
표3
BJT 종류 |
\(V_{B}(\text{V})\) |
\(V_{C}(\text{V})\) |
\(V_{E}(\text{V})\) |
\(V_{CE}(\text{V})\) |
\(I_{B}(\mu\text{A})\) |
\(I_{C}(\text{mA})\) |
\(I_{E}(\text{mA})\) |
Q2N3904 |
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Q2N4401 |
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표4
BJT 종류 |
\(V_{B}(\text{V})\) |
\(V_{C}(\text{V})\) |
\(V_{E}(\text{V})\) |
\(V_{CE}(\text{V})\) |
\(I_{B}(\mu\text{A})\) |
\(I_{C}(\text{mA})\) |
\(I_{E}(\text{mA})\) |
Q2N3904 |
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Q2N4401 |
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(6) 표 (4)의 자료 \(I_{C},\,V_{CE},\,I_{B}\)와 \(\beta\)에 대해 다음의 식을 적용해 변화를 계산하고 아래의 표에 기록한다(Q2N3904 BJT 기준).$$\begin{align*}\Delta\beta&=\left|\frac{\beta_{(4401)}-\beta_{(3904)}}{\beta_{(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta I_{C}&=\left|\frac{I_{C(4401)}-I_{C(3904)}}{I_{C(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta V_{CE}&=\left|\frac{V_{CE(4401)}-V_{CE(3904)}}{V_{CE(3904)}}\right|\times100\text{%}\\ \Delta I_{B}&=\left|\frac{I_{B(4401)}-I_{B(3904)}}{I_{B(3904)}}\right|\times100\text{%}\end{align*}$$
\(\Delta\beta\) |
\(\Delta I_{C}\) |
\(\Delta V_{CE}\) |
\(\Delta I_{B}\) |
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(Pspice를 이용한 BJT 이미터 바이어스 회로와 컬렉터 피드백 바이어스 회로의 해석)
-BJT 이미터 바이어스 회로
(해석 전)
(해석 후. 왼쪽: Q2N3904, 오른쪽: Q2N2222)
-BJT 컬렉터 피드백 바이어스 회로
(해석 전)
()
(해석 후. 왼쪽: Q2N3904, 오른쪽: Q2N2222)
참고자료:
Laboratory Manual to accompany Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Monssen, Pearson
Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Pearson
http://www.pcbheaven.com/wikipages/Transistor_theory/?p=2
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