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12. 공통 베이스 회로



베이스가 회로의 입력과 출력 모두에 공통으로 연결되었음을 나타내기 위해 공통 베이스라고 한다. 여기서의 입력은 이미터(E)이고, 출력은 컬렉터(C)이다.

(pnp 트랜지스터)

(npn 트랜지스터)


다음은 입력특성곡선과 출력특성곡선이다.

입력특성곡선에서 수평축은 VBE(입력전압), 수직축은 IE(입력전류), 매개변수는 VCB(출력전압)이고, 출력특성곡선에서 수평축은 VCB(출력전압), 수직축은 IC(출력전류), 매개변수는 IE(입력전류)이다.


출력특성곡선에는 다음의 세가지 영역이 존재한다.

1) 활성영역: 증폭기로 동작하는 영역으로 JE는 순방향 바이어스, JB는 역방향 바이어스이다.

IE=0일 때, IC=ICO이고, ICO의 단위는 μA이므로 보통 무시한다. 이때 ICBO=ICO이고,

ICBO는 이미터(E)가 개방되었을 때 컬렉터(C)에서 베이스(B)로 흐르는 전류이고, ICO는 이미터(E)가 개방되었을 때 컬렉터(C)에서 베이스(B)로 흐르는 역방향 포화전류이다.

온도가 증가하면 열적으로 생성된 소수캐리어에 의한 전류가 늘어나 ICBO=ICO이고 그 값은 증가하며 ICIE이다.

활성영역에서 VCBIC에 거의 영향을 주지 않는다.


2) 차단영역: JE,JC모두 역방향 바이어스이다.

컬렉터에 전류가 거의 흐르지 않는다. 트랜지스터를 스위치로 사용할 때, 이 영역에서 OFF이다.


3) 포화영역: JE,JC모두 순방향 바이어스이다.

VCB=0의 왼쪽영역(VCB<0)으로 작은 VCB의 변화도 급격한 IC의 변화를 야기한다. 트랜지스터를 스위치로 사용할 때, 이 영역에서 ON이다.


입력특성곡선은 순방향 pn접합 다이오드의 특성과 유사하고 VCB의 값은 특성곡선에 영향을 주지 못한다.

(오른쪽의 특성곡선그래프가 사용된다)


JE가 순방향 바이어스일 때 VBE=0.7V(npn), VEB=0.7V(pnp)이고, 공통베이스 구조에서 ICIC(IE=IC+IB)이므로 전류이득이 1에 가깝고 전류증폭기로는 부적합하다.


공통베이스 전류증폭

1) 직류동작에서 αdc=ICIE(data sheet에서 hFB로 표기)

2) 이미터(E)서 주입된 다수캐리어가 컬렉터(C)에 도달되는 비율을 α(전류이득)로 볼 수 있다.

ICmajority=αIEmajority, IC=ICmajority+ICOminority=αIEmajority+ICOminority=αIE+ICBO이고 ICIE(α=0.90.998)

(입력은 αIE+ICBO, 출력은 IC)

3) 교류동작에서 αac=ΔICΔIE|vCB(상수)이고(data sheet에서 hfb로 표기), α=αdcαac(보통 구별없이 α로 사용한다).


공통베이스 바이어스 인가

트랜지스터의 화살표 방향을 보고 npn인지 pnp인지 알 수 있다. 들어가는 방향이면 pnp, 나가는 방향이면 npn이다.


항복영역

다이오드가 역방향 바이어스에서 전압이 증가하면 사태현상에 의해 항복영역에 도달해서 전류가 급격히 증가한다. 활성영역에서 JC는 역방향 바이어스가 인가되므로 출력특성곡선의 오른쪽 윗부분이 이러한 항복영역을 나타낸다. 허용가능한 최대 역방향 전압을 BVCBO로 나타낸다.


참고자료:

Electronic Devices and Circuit Theory 11th edition, Boylestad, Nashelsky, Pearson   

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Posted by skywalker222